مقاله بررسي سينتيک کريستاليزاسيون (تبلور) لايه هاي نازک آمورف از جنس آلياژهاي حافظه دار NiTi تهيه شده به روش کندوپاش مغناطيسي pdf

توضیحات پروژه

 مقاله بررسي سينتيک کريستاليزاسيون (تبلور) لايه هاي نازک آمورف از جنس آلياژهاي حافظه دار NiTi تهيه شده به روش کندوپاش مغناطيسي pdf دارای 14 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسي سينتيک کريستاليزاسيون (تبلور) لايه هاي نازک آمورف از جنس آلياژهاي حافظه دار NiTi تهيه شده به روش کندوپاش مغناطيسي pdf  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه و مقالات آماده و تنظیم شده است

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ريختگي احتمالي در متون زير ،دليل ان کپي کردن اين مطالب از داخل فایل ورد مي باشد و در فايل اصلي مقاله بررسي سينتيک کريستاليزاسيون (تبلور) لايه هاي نازک آمورف از جنس آلياژهاي حافظه دار NiTi تهيه شده به روش کندوپاش مغناطيسي pdf،به هيچ وجه بهم ريختگي وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسي سينتيک کريستاليزاسيون (تبلور) لايه هاي نازک آمورف از جنس آلياژهاي حافظه دار NiTi تهيه شده به روش کندوپاش مغناطيسي pdf :

تعداد صفحات:14

چکیده:

لایه های نازک آلیاژ حافظه دار NiTi توسط روش کندوپاش مغناطیسی تهیه گردید. به دلیل تولید این لایه ها د ردمای اتاق (پایین) ساختار آنها بلافاصله پس از تولید آمئرف می باشد. پراش پرتوایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و گرماسنجی افتراقی (DSC) با روش غیر هم دما (گرمایش با نرخ ثابت) به منظور بررسی میکرو یاختار، تعیین انرژی فعال سازی و مکانیزم رشد و جوانه زنی بکار برده شد. وابستگی سرعت رشد و دمای کریستالیزاسون با استفاده از الگوهای DSC تعیین گردید. نتایج نشان داد دمای تبلور و ماکزیمم سرعت استحاله فاز آمورف به کریستاله (متبلور) با افزایش نرخ گرمایش، بیشتر می شوند همچین جوانه زنی پیوسته و رشد یک بعدی تحت کنترل فصل مشترک مکانیزم غالب در استحاله می باشند. انرژی فعال سازی نیز 370/94Kj/mole می باشد که با استافده از روش ماتوسیتا و کسینجر اصلاح شده محاسبه گردید.

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید