عنوان : مقاله تشکيل نازک ترين لايه هاي ممکن بر زير لايه ي Si(111)
قیمت : 17,600 تومان
توضیحات در پایین همین صفحه

درگاه 1

توجه : دریافت شماره تلفن همراه و آدرس ایمیل صرفا جهت پشتیبانی می باشد و برای تبلیغات استفاده نمی شود

هدف ما در این سایت کمک به دانشجویان و دانش پژوهان برای بالا بردن بار علمی آنها می باشد پس لطفا نگران نباشید و با اطمینان خاطر خرید کنید

توضیحات پروژه

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله تشکيل نازک ترين لايه هاي ممکن بر زير لايه ي Si(111) دارای 5 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله تشکيل نازک ترين لايه هاي ممکن بر زير لايه ي Si(111)  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه و مقالات آماده و تنظیم شده است

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ريختگي احتمالي در متون زير ،دليل ان کپي کردن اين مطالب از داخل فایل ورد مي باشد و در فايل اصلي مقاله تشکيل نازک ترين لايه هاي ممکن بر زير لايه ي Si(111)،به هيچ وجه بهم ريختگي وجود ندارد


بخشی از متن مقاله تشکيل نازک ترين لايه هاي ممکن بر زير لايه ي Si(111) :

تعداد صفحات:5

چکیده:

هر چند ضخامت گیت اکسیدی که امروزه در نانو ترانزیستورهای اثر میدانی ماسفت بکار می رود حدود یک نانومتر است ولی نیاز صنعت همان طوری که در قانون مور پیش بینی شده است کم تر از یک نانومتر می باشد. به همین دلیل، یک سری آزمایشاتی را به منظور رشد نازک ترین اکسید خالص انجام داده ایم که توانستیم حدود 7 آنگستروم اکسیدسیلیکون تمیز را تحت شرایط فراخلا بر زیرلایه ی Si(III) رشد دهیم. آنگاه ساختار پیوندهای شیمیایی آن را با تکنیک فوتو گسیلی XPS مطالعه کردیم.

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید


دانلود مقاله تشکيل نازک ترين لايه هاي ممکن بر زير لايه ي Si(111)
قیمت : 17,600 تومان

درگاه 1

Copyright © 2014 nacu.ir