ارائه گیت های کم مصرف منطقی NAND و NOR با استفاده از ترکیب ترانزیستورهای تکالکترون و اثرمیدانی نانو لوله کربنی

توضیحات

 ارائه گیت های کم مصرف منطقی NAND و NOR با استفاده از ترکیب ترانزیستورهای تکالکترون و اثرمیدانی نانو لوله کربنی دارای 10 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد ارائه گیت های کم مصرف منطقی NAND و NOR با استفاده از ترکیب ترانزیستورهای تکالکترون و اثرمیدانی نانو لوله کربنی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی ارائه گیت های کم مصرف منطقی NAND و NOR با استفاده از ترکیب ترانزیستورهای تکالکترون و اثرمیدانی نانو لوله کربنی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن ارائه گیت های کم مصرف منطقی NAND و NOR با استفاده از ترکیب ترانزیستورهای تکالکترون و اثرمیدانی نانو لوله کربنی :

چکیده مقاله:

در این مقاله مدارات حسابی دیجیتال که در کاربردهای VLSI جایگاه بسیار مهمی دارند از جمله NOR و NAND دو ورودی با بهره گیری از ترانزیستورهای تک الکترون طراحی و پیاده سازی شده اند. مدارات پیشنهاد شده به صورت ترکیبی از SET و CNTFET می باشند و توان مصرفی و انرژی بهینه ای دارند. به علاوه توان مصرفی، تاخیر انتشار و انرژی مصرفی مدارات پیشنهاد شده را با خازن های بار، ولتاژها و دماهای مختلف ارزیابی نموده و مشخصه انتقالی ولتاژ مدارات و گین ولتاژ آنها را بررسی می نماییم. شبیه سازی ها به کمک شبیه ساز HSPICE و تکنولوژی CNT32nm انجام شده اند. نتایج شبیه سازی حاکی از آن است که کارهای پیشنهادی توان، تاخیر، انرژی مصرفی و گین ولتاژ بسیار مطلوبی داشته و در ترم سرعت سوئیچینگ هم عملکرد بسیار خوبی دارند.

برای دریافت اینجا کلیک کنید